Name: IAUZN04S7L025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L025ATMA1TR-ND
Price: 1.4157 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IAUZN04S7L025ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IAUZN04S7L025ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IAUZN04S7L025ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUZN04S7L025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IAUZN04S7L025ATMA1
Beschrijving	MOSFET_(20V 40V)
Standaard levertijd fabrikant	12 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 40 V 117A (Tj) 65W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8-44
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	40 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	117A (Tj)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,56mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	1,8V @ 20µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1954 pF @ 20 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	65W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSDSON-8-44
Verpakking / doos	8-PowerTDFN