Name: G3F18MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 29.5845 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

G3F18MT12J-TR
Productnummer DigiKey	1913-G3F18MT12J-TR-ND - Tape & Reel (TR) 1913-G3F18MT12J-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1913-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Navitas Semiconductor, Inc.
Productnummer fabrikant	G3F18MT12J-TR
Beschrijving	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Standaard levertijd fabrikant	20 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Opbouwmontage TO-263-7
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiC (verbindingstransistor van siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	122A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	25mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,3V @ 35mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	212 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4962 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	526W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TO-263-7
Verpakking / doos	TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA