Name: SIDR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR680ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.3517 EUR
Availability: OutOfStock

SIDR680ADP-T1-RE3 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

Rohm Semiconductor

Op voorraad: 387

Eenheidsprijs : € 3,14000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIDR680ADP-T1-RE3
Productnummer DigiKey	742-SIDR680ADP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIDR680ADP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIDR680ADP-T1-RE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	29 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 30,7A (Ta), 137A (Tc) 6,25W (T+), 125 (T+) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8DC
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIDR680ADP-T1-RE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	30,7A (Ta), 137A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4415 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	6,25W (T+), 125 (T+)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8DC
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIDR680