Name: SIRC18DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRC18DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9844 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIRC18DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIRC18DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIRC18DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIRC18DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIRC18DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 60 A (Tc) 54,3W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIRC18DP-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	60 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	5060 pF @ 15 V
FET-kenmerk	Schottky-diode (behuizing)
Vermogensdissipatie (max.)	54,3W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIRC18