SQ2362ES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Producten voor discrete halfgeleiders

SQ2362ES-T1_BE3 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Parametrisch equivalent

Vishay Siliconix

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : € 0,54000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQ2362ES-T1_BE3
Productnummer DigiKey	742-SQ2362ES-T1_BE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SQ2362ES-T1_BE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQ2362ES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQ2362ES-T1_BE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 4,3 A (Tc) 3W (Tc) Opbouwmontage SOT-23-3 (TO-236)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	4,3 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	68mOhm @ 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	550 pF @ 30 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-23-3 (TO-236)
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproductnummer	SQ2362