Enkel FET's, MOSFET's

Resultaten : 14
Bevoorradingsopties
Milieu-opties
Media
Uitsluiten
14Resultaten
Zoekterm

Weergegeven:
van 14
Onderdeelnr. fabr.
Beschikbare hoeveelheid
Prijs
Serie
Verpakking
Productstatus
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bij Id
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
Vgs (max.)
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
FET-kenmerk
Vermogensdissipatie (max.)
Bedrijfstemperatuur
Soort
Kwalificatie
Type montage
Apparaatpakket leverancier
Verpakking / doos
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
247
Op voorraad
1 : € 7,17000
Buis
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1700 V
6,2 A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
13 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2.221
Op voorraad
1.350
Fabriek
1 : € 10,18000
Buis
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A, 20V
4V @ 5mA
57 nC @ 20 V
+22V, -6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
369
Op voorraad
1 : € 16,78000
Buis
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
4V @ 10mA
95 nC @ 20 V
+22V, -6V
1825 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
Through-hole
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
873
Op voorraad
1 : € 8,45000
Buis
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1700 V
6,4 A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
11 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Opbouwmontage
TO-263-7L
TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Levertijd controleren
1 : € 23,71000
Buis
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
70 A (Tc)
20V
50mOhm @ 40A, 20V
4V @ 20mA
175 nC @ 20 V
+22V, -6V
317 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247-4L
TO-247-4
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
450 : € 3,06398
Buis
-
Buis
Verouderd
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1700 V
5 A (Tc)
15V, 20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
15 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A, 20V
4V @ 7mA
80 nC @ 20 V
+22V, -6V
1125 pF @ 800 V
-
139W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A, 20V
4V @ 7mA
63 nC @ 20 V
+22V, -6V
1130 pF @ 800 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
100 A (Tc)
20V
32mOhm @ 50A, 20V
4V @ 30mA
265 nC @ 20 V
+22V, -6V
495 pF @ 800 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
4V @ 10mA
92 nC @ 20 V
+22V, -6V
170 pF @ 800 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A, 20V
4V @ 5mA
50 nC @ 20 V
+22V, -6V
890 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Through-hole
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
27 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Opbouwmontage
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
TO-263-7
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
22 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Opbouwmontage
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
TO-263-7
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
Op voorraad
Actief
-
Buis
Actief
N-kanaal
SiCFET (siliciumcarbide)
1200 V
39 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Opbouwmontage
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Weergegeven:
van 14

Enkele FET, MOSFET's


Enkele Field Effect Transistors (FET's) en Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) zijn soorten transistors die worden gebruikt om elektronische signalen te versterken of te schakelen.

Een enkele FET werkt door de stroom tussen de source- en drainterminals te regelen via een elektrisch veld dat wordt opgewekt door een spanning op de gate-terminal. Het belangrijkste voordeel van FET's is hun hoge ingangsimpedantie, waardoor ze ideaal zijn voor gebruik in signaalversterking en analoge schakelingen. Ze worden veel gebruikt in toepassingen zoals versterkers, oscillators en buffertrappen in elektronische schakelingen.

MOSFET's, een subtype van FET's, hebben een gate-terminal die van het kanaal is geïsoleerd door een dunne oxidelaag, waardoor ze beter presteren en zeer efficiënt zijn. MOSFET's kunnen verder worden onderverdeeld in twee typen:

MOSFET's genieten in veel toepassingen de voorkeur vanwege hun lage energieverbruik, hoge schakelsnelheid en vermogen om grote stromen en spanningen te verwerken. Ze zijn cruciaal in digitale en analoge schakelingen, waaronder voedingen, motorstuurprogramma's en radiofrequentietoepassingen.

De werking van MOSFET's kan worden onderverdeeld in twee modi:

  • Verbeteringsmodus: In deze modus is de MOSFET normaal uitgeschakeld wanneer de gate-bronspanning nul is. Hij heeft een positieve gate-sourcespanning (voor n-kanaal) of een negatieve gate-sourcespanning (voor p-kanaal) nodig om aan te gaan.
  • Depletiemodus: In deze modus is de MOSFET normaal ingeschakeld wanneer de gate-sourcespanning nul is. Door een sourcespanning met tegengestelde polariteit toe te passen, kan deze worden uitgeschakeld.

MOSFET's bieden verschillende voordelen, zoals:

  1. Hoge efficiëntie: Ze verbruiken zeer weinig stroom en kunnen snel van status veranderen, waardoor ze zeer efficiënt zijn voor energiebeheertoepassingen.
  2. Lage aan/uit-weerstand: Ze hebben een lage weerstand wanneer ze ingeschakeld worden, wat energieverlies en warmteontwikkeling minimaliseert.
  3. Hoge ingangsimpedantie: De geïsoleerde poortstructuur resulteert in een extreem hoge ingangsimpedantie, waardoor ze ideaal zijn voor signaalversterking met hoge impedantie.

Samengevat zijn enkelvoudige FET's, vooral MOSFET's, fundamentele componenten in de moderne elektronica, bekend om hun efficiëntie, snelheid en veelzijdigheid in een groot aantal toepassingen, van signaalversterking met laag vermogen tot schakelen en besturen met hoog vermogen.