LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET vermogenstrappen

Met de LMG3410R050 en LMG3411R050 GaN vermogenstrappen van Texas Instruments met geïntegreerde driver en beveiliging kunnen ontwerpers een hogere vermogensdichtheid en lager energieverbruik bereiken bij elektronische systemen voor hoge vermogens. De componenten hebben inherente voordelen ten opzichte van silicium MOSFETs, zoals een uiterst lage ingangscapaciteit en geen spertraagheid om de schakelverliezen met tot wel 80% te beperken, en weinig schakelpieken om de EMI te verminderen. Dankzij deze voordelen zijn compacte en efficiënte topologieën als de totempaal PFC mogelijk.

De LMG3410R050 en  LMG3411R050 vormen een slim alternatief voor traditionele cascode GaN en losse GaN FETs door de integratie van enkele features die bij alle voedingen het ontwerp vereenvoudigen, de betrouwbaarheid verhogen en de prestaties optimaliseren. De geïntegreerde gate-aansturing maakt schakelen met 100 V/ns mogelijk bij schakelpieken met uiterst lage V_DS, een stroombegrenzing van minder dan 100 ns als beveiliging tegen onbedoelde doorslag, terwijl een afschakeling bij te hoge temperaturen oververhitting voorkomt en de component kan worden bewaakt via extern beschikbare signalen.