Vishay General Semiconductor - Diodes Division

C3D Siliciumcarbide Schottky-diodes

Vishay's 4 A tot 40 A apparaten hebben een samengevoegd PIN Schottky ontwerp

Afbeelding van Vishay's 650 V siliciumcarbide Schottky-diodesVishay introduceert zijn 650 V siliciumcarbide (SiC) Schottky-diodes met een samengevoegd PIN Schottky-ontwerp (MPS). Deze apparaten zijn ontworpen om de efficiëntie van hoogfrequente toepassingen te verhogen door de schakelverliezen te verminderen, ongeacht de effecten van temperatuurschommelingen, waardoor de apparaten bij hogere temperaturen kunnen werken. Het samengevoegde PIN Schottky-ontwerp van de toestellen schermt het elektrische veld van de Schottky-barrière af om de lekstromen te beperken en tegelijk het vermogen tot piekstromen via gatinjectie te verhogen. Vergeleken met zuiver silicium Schottky-dioden kunnen deze dioden dezelfde stroom verwerken met slechts een geringe toename van de spanningsval, terwijl zij een aanzienlijk hogere mate van robuustheid vertonen, waardoor ontwerpers over een grotere flexibiliteit beschikken bij de optimalisering van hun systemen. Ze worden aangeboden in 2L TO-220AC en TO-247AD 3L-verpakkingen.

Eigenschappen
  • Samengevoegd PIN Schottky-ontwerp
  • Positieve VF-temperatuurcoëfficiënt voor gemakkelijke parallelschakeling
  • Temperatuurinvariant schakelgedrag
  • Beschikbaar met stroomsterkten van 4 A tot 40 A
  • Werkt bij hoge temperaturen tot +175 °C
  • Voldoet aan JESD 201 klasse 1A whisker-test
  • Beschikbaar in 2L TO-220AC en TO-247AD 3L-verpakkingen
Toepassingen
  • PFC en uitgangsgelijkrichting in fly-backstroomleveranciers
  • LLC-convertors voor servers
  • Telecomapparatuur
  • UPS
  • Omvormers voor zonnepanelen

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingStroom - sper lekkage bij VrSnelheidStroom - gemiddeld gelijkgericht (Io)Available QuantityPrijsDetails weergeven
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACVS-C12ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC65 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)12A0 - Immediate$1.85Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C10ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)10A0 - Immediate$1.58Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C20ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)20A0 - Immediate$3.43Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C16ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)8A0 - Immediate$2.77Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C08ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)8A0 - Immediate$1.25Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACVS-C04ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC25 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)4A0 - Immediate$0.76Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACVS-C06ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC75 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)6A0 - Immediate$1.04Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C40CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)20A0 - Immediate$8.31Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C20CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)10A0 - ImmediateSee Page for PricingDetails weergeven
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220ACVS-C16CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC85 µA @ 650 VSnel herstel =<500ns, > 200mA (Io)16A0 - ImmediateSee Page for PricingDetails weergeven
Published: 2021-01-20

Related Product Training Modules

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes Vishay’s 650 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes feature a merged PIN Schottky design and are designed to increase the efficiency of high-frequency applications.