Gen V TrenchFET MOSFET's
De 80 V, 100 V en 150 V MOSFET's van Vishay hebben een zeer lage RDS tot Qg FOM.
De TrenchFET® Gen V power MOSFET's van Vishay leveren een hogere vermogensdichtheid en efficiëntie voor zowel geïsoleerde als niet-geïsoleerde topologieën. De ultralage inschakelweerstand, de werking bij hoge temperaturen tot +175 °C en het ruimtebesparende PowerPAK®-pakket van Vishay dragen bij aan de betrouwbaarheid van de printplaat met een draadloze constructie. Deze serie is 100% RG- en UIS-getest, voldoet aan RoHS en is halogeenvrij.
- Zeer lage RDS tot Qg FOM
- Afgestemd voor de laagste RDS naar QOSS FOM
- Synchrone gelijkrichting
- Primaire zijschakelaars
- DC/DC-convertors
- Micro-inverters voor zonne-energie
- Schakelaars voor motoraandrijving
- Batterij- en belastingsschakelaars
- Aandrijvingen voor industriële motors
- Batterijopladers
Gen V TrenchFET MOSFETs
| Afbeelding | Onderdeelnr. fabrikant | Beschrijving | Spanning ontlading-bron (Vdss) | Available Quantity | Prijs | Details weergeven | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 0 - Immediate | $3.30 | Details weergeven |
![]() | ![]() | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 5633 - Immediate | $2.42 | Details weergeven |
![]() | ![]() | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4258 - Immediate | $3.56 | Details weergeven |
![]() | ![]() | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 4370 - Immediate | $3.39 | Details weergeven |
![]() | ![]() | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 3801 - Immediate | $3.12 | Details weergeven |
![]() | ![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 5622 - Immediate | $3.63 | Details weergeven |




