AOT12N60FDL is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 1.954
Eenheidsprijs : € 1,54601
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 720
Eenheidsprijs : € 3,10000
Gegevensblad

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 543
Eenheidsprijs : € 0,93281
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 5.929
Eenheidsprijs : € 3,24000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,81283
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,75110
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,65000
Gegevensblad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 98
Eenheidsprijs : € 5,39000
Gegevensblad
TO-220-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

AOT12N60FDL

Productnummer DigiKey
785-AOT12N60FDL-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
AOT12N60FDL
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 12 A (Tc) 278W (Tc) Through-hole TO-220
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2010 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
278W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.