Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 7.8045 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

CGD65B130SH2
Productnummer DigiKey	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Tape & Reel (TR) 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Cut Tape (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Cambridge GaN Devices
Productnummer fabrikant	CGD65B130SH2
Beschrijving	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 12A Opbouwmontage 8-DFN (5x6)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Fabr. Cambridge GaN Devices	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 182mOhm @ 900mA, 12V
Serie ICeGaN™	Vgs(th) (max.) bij Id 4,2V @ 4,2mA
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 1.9 nC @ 12 V
Status onderdeel Actief	Vgs (max.) +20V, -1V
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Apparaatpakket leverancier 8-DFN (5x6)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 12A	Verpakking / doos 8-PowerVDFN