CDBJSC8650-G Comchip Technology | Producten voor discrete halfgeleiders

CDBJSC8650-G is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Parametrisch equivalent

Bourns Inc.

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : € 2,92737

Parametrisch equivalent

onsemi

Op voorraad: 423

Eenheidsprijs : € 2,47000

Parametrisch equivalent

Infineon Technologies

Op voorraad: 500

Eenheidsprijs : € 3,26000

Parametrisch equivalent

Panjit International Inc.

Op voorraad: 1.995

Eenheidsprijs : € 3,14000

Parametrisch equivalent

onsemi

Op voorraad: 27.243

Eenheidsprijs : € 3,55000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

CDBJSC8650-G
Productnummer DigiKey	CDBJSC8650-G-ND
Fabrikant	Comchip Technology
Productnummer fabrikant	CDBJSC8650-G
Beschrijving	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	Dioden 650 V 8A Through-hole TO-220-2
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Diodes Gelijkrichters Enkel diodes
Fabr.	Comchip Technology
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spanning - DC omgekeerd (Vr) (max.)	650 V
Stroom - gemiddeld gelijkgericht (Io)	8A
Spanning - doorlaat (Vf) (max.) bij If	1.7 V @ 8 A
Snelheid	Geen hersteltijd >500mA (Io)
Inverse hersteltijd (trr)	0 ns
Stroom - sper lekkage bij Vr	100 µA @ 650 V
Capaciteit bij Vr, F	560pF @ 0V, 1MHz
Type montage	Through-hole
Verpakking / doos	TO-220-2
Apparaatpakket leverancier	TO-220-2
Bedrijfstemperatuur - verbinding	-55°C ~ 175°C
Basisproductnummer	CDBJSC8650