N-kanaal 650 V 9 A (Tc) 165W (Tc) Through-hole TO-220-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

DMG9N65CT

Productnummer DigiKey
DMG9N65CT-ND
Fabrikant
Diodes Incorporated
Productnummer fabrikant
DMG9N65CT
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 9 A (Tc) 165W (Tc) Through-hole TO-220-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
N-kanaal
Technologie
MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
9 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
1,3Ohm @ 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2310 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
165W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220-3
Verpakking / doos
TO-220-3
Basisproductnummer
DMG9
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.

Alternatieve koopopties

26Op voorraad
Koopoptie