Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 0.5656 EUR
Availability: InStock

Afbeelding van IRFD112 is niet beschikbaar

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IRFD112
Productnummer DigiKey	2156-IRFD112-ND
Fabrikant	Harris Corporation
Productnummer fabrikant	IRFD112
Beschrijving	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through-hole 4-DIP, Hexdip
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Fabr. Harris Corporation	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 7 nC @ 10 V
Verpakking Bulk	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 135 pF @ 25 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 1W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 800mA (Tc)	Apparaatpakket leverancier 4-DIP, Hexdip
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 800mOhm @ 800mA, 10V

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 821

Niet-annuleerbaar/niet-retourneerbaar

MARKETPLACE-PRODUCT

Wordt verzonden over ongeveer 10 dagen vanaf Rochester Electronics LLC

Er worden aparte € 77,34 vaste verzendkosten in rekening gebracht

Maximale aankooplimiet

Om te voldoen aan alle onderzoeks- en ontwikkelingsbehoeften van klanten, heeft dit product een maximale aankooplimiet. Deze limiet kan elke 30 dagen worden gekocht en bestellingen boven deze limiet kunnen worden geannuleerd.

Bulk:

821

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Bulk