Name: AIMCQ120R080M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND
Price: 10.2366 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

AIMCQ120R080M1TXTMA1
Productnummer DigiKey	448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	AIMCQ120R080M1TXTMA1
Beschrijving	SIC_DISCRETE
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 34 A (Tc) 211W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	AIMCQ120R080M1TXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	34 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 3,3mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	24 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	671 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	211W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HDSOP-22
Verpakking / doos	22-PowerBSOP module