Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.5972 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

BSP149H6327XTSA1
Productnummer DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	BSP149H6327XTSA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Standaard levertijd fabrikant	10 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal, verarmingsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Opbouwmontage PG-SOT223-4
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	BSP149H6327XTSA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal, verarmingsmodus
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	660mA (Ta)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	1V @ 400µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	430 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	1,8W (Ta)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-SOT223-4
Verpakking / doos	TO-261-4, TO-261AA
Basisproductnummer	BSP149