Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

BSZ120P03NS3GATMA1
Productnummer DigiKey	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	BSZ120P03NS3GATMA1
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Standaard levertijd fabrikant	14 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	BSZ120P03NS3GATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	11 A (Ta), 40 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,1V @ 73µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3360 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,1W (Ta), 52W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSDSON-8
Verpakking / doos	8-PowerTDFN
Basisproductnummer	BSZ120