FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Producten voor discrete halfgeleiders

FF6MR12W2M1B11BOMA1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Parametrisch equivalent

Infineon Technologies

Op voorraad: 15

Eenheidsprijs : € 129,51000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

FF6MR12W2M1B11BOMA1
Productnummer DigiKey	FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	FF6MR12W2M1B11BOMA1
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassismontage AG-EASY2BM-2
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays
Fabrikant	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpakking	Tray
Status onderdeel	Verouderd
Technologie	Siliciumcarbide (SiC)
Configuratie	2 N-kanaal (dubbel)
FET-kenmerk	-
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200V (1,2kV)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	200A (Tj)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	5,63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,55V @ 80mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	496nC @ 15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	14700pF @ 800V
Vermogen - max.	-
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage	Chassismontage
Verpakking / doos	Module
Apparaatpakket leverancier	AG-EASY2BM-2
Basisproductnummer	FF6MR12