Name: IMBG120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.4431 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

IMBG120R026M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG120R026M2HXTMA1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	75 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	25,4mOhm @ 27,3A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 8,6mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	60 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1990 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	335W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-7-12
Verpakking / doos	TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Basisproductnummer	IMBG120R026

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 11,11000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 13,44310

IMBG120R026M2HXTMA1