Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 6.9212 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMBG120R350M1HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG120R350M1HXTMA1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Standaard levertijd fabrikant	54 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMBG120R350M1HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 5,7V @ 1mA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 5.9 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max.) +18V, -15V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 196 pF @ 800 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 65W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 1200 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-7-12
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 4,7 A (Tc)	Verpakking / doos TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 468mOhm @ 2A, 18V	Basisproductnummer IMBG120