Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HTR-ND
Price: 23.1352 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

IMBG65R010M2H
Productnummer DigiKey	448-IMBG65R010M2HTR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R010M2HCT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG65R010M2H
Beschrijving	IMBG65R010M2H
Standaard levertijd fabrikant	13 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	158 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 18,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4001 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	535W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-7-12
Verpakking / doos	TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 19,12000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 23,13520

IMBG65R010M2H