Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 7.0664 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMBG65R107M1HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG65R107M1HXTMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMBG65R107M1HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 5,7V @ 2,6mA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 15 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (max.) +23V, -5V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 496 pF @ 400 V
Status onderdeel Niet voor nieuwe ontwerpen	Vermogensdissipatie (max.) 110W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-7-12
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 24 A (Tc)	Verpakking / doos TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Basisproductnummer IMBG65R
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 141mOhm @ 8,9A, 18V