Name: IMT65R040M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND
Price: 10.1882 EUR
Availability: OutOfStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMT65R040M2HXUMA1
Productnummer DigiKey	448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT65R040M2HXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT65R040M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMT65R040M2HXUMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 58,7A (Tc) 277W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-2
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 36mOhm @ 22,9A, 20V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,6V @ 4,6mA
Serie CoolSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 28 nC @ 18 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 997 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 277W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 58,7A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-HSOF-8-2
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Verpakking / doos 8-PowerSFN