Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.4794 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMTA65R020M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMTA65R020M2HXTMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 77 A (Tc) 416W (Tc)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMTA65R020M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
Fabr. Infineon Technologies	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 18mOhm @ 46,9A, 20V
Serie CoolSiC™	Vgs(th) (max.) bij Id 5,6V @ 9,5mA
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 57 nC @ 18 V
Status onderdeel Actief	Vgs (max.) +23V, -7V
FET-type N-kanaal	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2038 pF @ 400 V
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Vermogensdissipatie (max.) 416W (Tc)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 77 A (Tc)