IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies | Producten voor discrete halfgeleiders

IPA50R299CPXKSA1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Direct

Vishay Siliconix

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : € 13,52000

Similar

STMicroelectronics

Op voorraad: 409

Eenheidsprijs : € 11,90000

Similar

STMicroelectronics

Op voorraad: 903

Eenheidsprijs : € 20,84000

Similar

STMicroelectronics

Op voorraad: 980

Eenheidsprijs : € 23,72000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Op voorraad: 99

Eenheidsprijs : € 15,70000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPA50R299CPXKSA1
Productnummer DigiKey	IPA50R299CPXKSA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPA50R299CPXKSA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 550 V 12 A (Tc) 104W (Tc) Through-hole PG-TO220-3-31
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	550 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	12 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	299mOhm @ 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 440µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1190 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	PG-TO220-3-31
Verpakking / doos	TO-220-3 volledig pakket
Basisproductnummer	IPA50R