Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 9.5711 EUR
Availability: OutOfStock

IPB110N20N3LFATMA1 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Op voorraad: 3.815

Eenheidsprijs : € 6,43000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPB110N20N3LFATMA1
Productnummer DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPB110N20N3LFATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPB110N20N3LFATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4,2V @ 260µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 76 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 3	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 650 pF @ 100 V
Status onderdeel Laatste keer gekocht	Vermogensdissipatie (max.) 250W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 200 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-3
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 88 A (Tc)	Verpakking / doos TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Basisproductnummer IPB110
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V