IPD30N03S2L10ATMA1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Op voorraad: 4.397
Eenheidsprijs : € 2,02000
Gegevensblad

Similar


Diodes Incorporated
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 0,99000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 103
Eenheidsprijs : € 1,70000
Gegevensblad
N-kanaal 30 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3-11
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPD30N03S2L10ATMA1

Productnummer DigiKey
448-IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant
Productnummer fabrikant
IPD30N03S2L10ATMA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 30 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3-11
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Filter vergelijkbare producten
Toon lege attributen
Categorie
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
42 nC @ 10 V
Fabr.
Vgs (max.)
±20V
Serie
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1200 pF @ 25 V
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Vermogensdissipatie (max.)
100W (Tc)
Status onderdeel
Verouderd
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET-type
Soort
Automotive
Technologie
Kwalificatie
AEC-Q101
Spanning ontlading-bron (Vdss)
30 V
Type montage
Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Apparaatpakket leverancier
PG-TO252-3-11
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Verpakking / doos
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
10mOhm @ 30A, 10V
Basisproductnummer
Vgs(th) (max.) bij Id
2V @ 50µA
Milieu- en exportclassificaties
Vragen en antwoorden over producten
Meer resources
Vervangers (3)
OnderdeelnummerFabrikant Beschikbare hoeveelheidProductnummer DigiKey Eenheidsprijs Type vervangend product
IPD50N03S2L06ATMA1Infineon Technologies4.397IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND€ 2,02000MFR Recommended
DMN3010LK3-13Diodes Incorporated031-DMN3010LK3-13CT-ND€ 0,99000Similar
FDD8876onsemi103FDD8876CT-ND€ 1,70000Similar
Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.