Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

IPD80R1K4CEATMA1
Productnummer DigiKey	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPD80R1K4CEATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPD80R1K4CEATMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Niet voor nieuwe ontwerpen
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	800 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	3,9 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,4Ohm @ 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,9V @ 240µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	570 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	63W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO252-3
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	IPD80R1

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
2.500	€ 0,41646	€ 1.041,15
5.000	€ 0,39007	€ 1.950,35

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 1,70000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 2,05700

IPD80R1K4CEATMA1