Name: IPT129N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.7682 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPT129N20NM6ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPT129N20NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT129N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPT129N20NM6ATMA1
Beschrijving	TRENCH >=100V
Standaard levertijd fabrikant	18 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-1
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	11A (Ta), 87A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	12mOhm @ 65A, 15V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,5V @ 129µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3800 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,8W (Ta), 234W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HSOF-8-1
Verpakking / doos	8-PowerSFN