Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 7.2358 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PG-WHTFN-9-U02

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PG-WHTFN-9-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,9mOhm @ 50A, 10V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 3,3V @ 163µA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 150 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 12000 pF @ 30 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 60 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-WHTFN-9-U02
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Verpakking / doos 9-PowerWDFN