Name: IQD009N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND
Price: 5.7596 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQD009N06NM5SCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQD009N06NM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQD009N06NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQD009N06NM5SCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standaard levertijd fabrikant	52 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQD009N06NM5SCATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	0,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,3V @ 163µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	12000 pF @ 30 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-WHSON-8-U02
Verpakking / doos	8-PowerWDFN