Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQDH29NE2LM5CGATMA1
Beschrijving	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standaard levertijd fabrikant	15 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQDH29NE2LM5CGATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	25 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	0,29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2V @ 1,448mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	254 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	17000 pF @ 12 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TTFN-9-U02
Verpakking / doos	9-PowerTDFN
Basisproductnummer	IQDH29

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 3.456

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®