Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 3.3396 EUR
Availability: InStock

IQE006NE2LM5SCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQE006NE2LM5SCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	25 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	47A (Ta), 310A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	0,58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	5453 pF @ 12 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-WHSON-8-1
Verpakking / doos	8-PowerWDFN

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 2,76000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 3,33960

IQE006NE2LM5SCATMA1