Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 7.1995 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFET's - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Opbouwmontage PG-WHITFN-10-1

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Productnummer DigiKey	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Standaard levertijd fabrikant	48 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Opbouwmontage PG-WHITFN-10-1
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Fabrikant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 3,8V @ 85µA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 78nC @ 10V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4800pF @ 50V
Status onderdeel Actief	Vermogen - max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuratie 2 N-kanaal (halve brug)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100V	Verpakking / doos 10-PowerWDFN
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-WHITFN-10-1