IXFN55N120SK IXYS | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IXFN55N120SK
Productnummer DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
Fabrikant	IXYS
Productnummer fabrikant	IXFN55N120SK
Beschrijving	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 54 A (Tc) Chassismontage SOT-227B
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	IXYS
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	54 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	42mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,6V @ 12mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+15V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3360 pF @ 1000 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	-
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Chassismontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-227B
Verpakking / doos	SOT-227-4, miniBLOC