Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 30.4799 EUR
Availability: OutOfStock

Nieuw product

N-kanaal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Through-hole ISO247-4L

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IXSJ80N120R1K
Productnummer DigiKey	238-IXSJ80N120R1K-ND
Fabrikant	IXYS
Productnummer fabrikant	IXSJ80N120R1K
Beschrijving	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	32 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Through-hole ISO247-4L
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	IXYS
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	85 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	23,4mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,8V @ 22,2mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	155 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+21V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4556 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	223,2W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	ISO247-4L
Verpakking / doos	TO-247-4

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

0 op voorraad

Levertijd controleren

Voorraadmelding aanvragen

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 25,19000	€ 25,19
30	€ 16,35833	€ 490,75
120	€ 15,74092	€ 1.888,91

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.