Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.4044 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

NTMFS3D2N10MDT1G
Productnummer DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Tape & Reel (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	onsemi
Productnummer fabrikant	NTMFS3D2N10MDT1G
Beschrijving	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Opbouwmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	NTMFS3D2N10MDT1G Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	onsemi
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	3,5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 316µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3900 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Verpakking / doos	8-PowerTDFN, 5 kabels
Basisproductnummer	NTMFS3