Name: RBE111N10R1SZN2#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND
Price: 1.6819 EUR
Availability: OutOfStock

RBE111N10R1SZN2#HB0 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Parametrisch equivalent

RBA40N10EANS-5UA11#HB0

Renesas Electronics Corporation

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : € 1,51000

Gegevensblad

Alle alternatieven bekijken en vergelijken

Nieuw product

Afbeelding van RBE111N10R1SZN2#HB0 is niet beschikbaar

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

RBE111N10R1SZN2#HB0
Productnummer DigiKey	559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND - Tape & Reel (TR) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0CT-ND - Cut Tape (CT) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	RBE111N10R1SZN2#HB0
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
Standaard levertijd fabrikant	12 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 40 A (Tc) 57W (Tc) Opbouwmontage, wettable flank μSO8-FL
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 28µA
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 27 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1700 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 57W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage, wettable flank
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 40 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier μSO8-FL
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos 8-PowerVDFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 11,1mOhm @ 20A, 10V