Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.203 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H150G4LSG
Productnummer DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - Tape & Reel (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Cut Tape (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H150G4LSG
Beschrijving	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Opbouwmontage 3-PQFN (8x8)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TP65H150G4LSG Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4,8V @ 500µA
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 8 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 598 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 52W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 13 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier 3-PQFN (8x8)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos 3-PowerTDFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 180mOhm @ 8,5A, 10V	Basisproductnummer TP65H150