TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP90H050WS
Productnummer DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP90H050WS
Beschrijving	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 900 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Through-hole TO-247-3
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	900 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	34 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	63mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,4V @ 700µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	980 pF @ 600 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	119W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247-3
Verpakking / doos	TO-247-3
Basisproductnummer	TP90H050