TPD3215M
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
TPD3215M
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPD3215M

Productnummer DigiKey
TPD3215M-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TPD3215M
Beschrijving
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
MOSFET's - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Through-hole Module
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Verpakking
Bulk
Status onderdeel
Verouderd
Technologie
GaNFET (galliumnitride)
Configuratie
2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk
-
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
70 A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (max.) bij Id
-
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
28nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2260pF @ 100V
Vermogen - max.
470W
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through-hole
Verpakking / doos
Module
Apparaatpakket leverancier
Module
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt.