MOSFET's - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Through-hole Module
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
MOSFET's - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Through-hole Module
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPD3215M

Productnummer DigiKey
TPD3215M-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TPD3215M
Beschrijving
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
MOSFET's - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Through-hole Module
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Verpakking
Bulk
Status onderdeel
Verouderd
Technologie
GaNFET (galliumnitride)
Configuratie
2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk
-
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
70 A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (max.) bij Id
-
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
28nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2260pF @ 100V
Vermogen - max.
470W
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through-hole
Verpakking / doos
Module
Apparaatpakket leverancier
Module
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt.