



TPD3215M | |
|---|---|
Productnummer DigiKey | TPD3215M-ND |
Fabrikant | |
Productnummer fabrikant | TPD3215M |
Beschrijving | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Klantreferentie | |
Gedetailleerde beschrijving | MOSFET's - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Through-hole Module |
Gegevensblad | Gegevensblad |
Type | Beschrijving | Alles selecteren |
|---|---|---|
Categorie | ||
Fabrikant | Renesas Electronics Corporation | |
Serie | - | |
Verpakking | Bulk | |
Status onderdeel | Verouderd | |
Technologie | GaNFET (galliumnitride) | |
Configuratie | 2 N-kanaal (halve brug) | |
FET-kenmerk | - | |
Spanning ontlading-bron (Vdss) | 600V | |
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C | 70 A (Tc) | |
Rds aan (max.) bij Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V | |
Vgs(th) (max.) bij Id | - | |
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs | 28nC @ 8V | |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds | 2260pF @ 100V | |
Vermogen - max. | 470W | |
Bedrijfstemperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type montage | Through-hole | |
Verpakking / doos | Module | |
Apparaatpakket leverancier | Module | |
Basisproductnummer |

