TP65H035G4WSQA
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
TP65H035G4WSQA
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3207WS

Productnummer DigiKey
TPH3207WS-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TPH3207WS
Beschrijving
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 50 A (Tc) 178W (Tc) Through-hole TO-247-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
TPH3207WS Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (max.) bij Id
2,65V @ 700µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±18V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2197 pF @ 400 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
178W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247-3
Verpakking / doos
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt.