BSM600D12P3G001 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 8
Eenheidsprijs : € 7.582,17000
Gegevensblad
BSM600D12P3G001
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

Productnummer DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
BSM600D12P3G001
Beschrijving
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassismontage Module
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabrikant
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpakking
Bulk
Status onderdeel
Verouderd
Technologie
Siliciumcarbide (SiC)
Configuratie
2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk
-
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1200V (1,2kV)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
600 A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bij Id
5.6V @ 182mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
31000pF @ 10V
Vermogen - max.
2450W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Chassismontage
Verpakking / doos
Module
Apparaatpakket leverancier
Module
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.