RQ3P300BETB1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Similar

STL8N10F7
STMicroelectronics
Op voorraad: 2.800
Eenheidsprijs : € 1,30000
Gegevensblad
Alle alternatieven bekijken en vergelijken
N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Opbouwmontage 8-HSMT (3,2x3)
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Opbouwmontage 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3P300BETB1

Productnummer DigiKey
RQ3P300BETB1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant
Rohm Semiconductor
Productnummer fabrikant
RQ3P300BETB1
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Opbouwmontage 8-HSMT (3,2x3)
EDA/CAD-modellen
RQ3P300BETB1 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
N-kanaal
Technologie
MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)
100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
10 A (Ta), 36 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 200µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
19.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1250 pF @ 50 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 32W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier
8-HSMT (3,2x3)
Verpakking / doos
8-PowerVDFN
Basisproductnummer
RQ3P300
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.