RS1P600BETB1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 2.252
Eenheidsprijs : € 3,59000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 166
Eenheidsprijs : € 3,28000
Gegevensblad

Similar


Texas Instruments
Op voorraad: 7.085
Eenheidsprijs : € 2,03000
Gegevensblad
N-kanaal 100 V 17,5A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Opbouwmontage 8-HSOP
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

RS1P600BETB1

Productnummer DigiKey
RS1P600BETB1TR-ND - Tape & Reel (TR)
RS1P600BETB1CT-ND - Cut Tape (CT)
RS1P600BETB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant
Productnummer fabrikant
RS1P600BETB1
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 100 V 17,5A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Opbouwmontage 8-HSOP
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
RS1P600BETB1 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
9,7mOhm @ 17,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 500µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2200 pF @ 50 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier
8-HSOP
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.