Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 7.502 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Through-hole TO-247-4

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

GP3T080A120H
Productnummer DigiKey	1560-GP3T080A120H-ND
Fabrikant	SemiQ
Productnummer fabrikant	GP3T080A120H
Beschrijving	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Standaard levertijd fabrikant	22 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Through-hole TO-247-4
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 18V
Fabr. SemiQ	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 5mA
Serie QSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 53 nC @ 18 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) +22V, -8V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1351 pF @ 1000 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 147W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 1200 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 32 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier TO-247-4
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Verpakking / doos TO-247-4

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 99

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 6,20000	€ 6,20
10	€ 4,18300	€ 41,83
100	€ 3,03870	€ 303,87
500	€ 2,55106	€ 1.275,53
1.000	€ 2,39455	€ 2.394,55
2.000	€ 2,35848	€ 4.716,96

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.