Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 7.3568 EUR
Availability: InStock

IGBT 600 V 50 A 230 W Through-hole TO-3P(N)

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

GT50JR22(STA1,E,S)
Productnummer DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	GT50JR22(STA1,E,S)
Beschrijving	IGBT 600V 50A TO-3P
Standaard levertijd fabrikant	12 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	IGBT 600 V 50 A 230 W Through-hole TO-3P(N)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors IGBT's Enkel IGBT's	Vce(aan) (max.) bij Vge, Ic 2,2V @ 15V, 50A
Fabrikant Toshiba Semiconductor and Storage	Vermogen - max. 230 W
Verpakking Buis	Type ingang Standard
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur 175°C (TJ)
Spanning - collector-emitter doorslag (max.) 600 V	Type montage Through-hole
Stroom - collector (Ic) (max.) 50 A	Verpakking / doos TO-3P-3, SC-65-3
Stroom - collector puls (Icm) 100 A	Apparaatpakket leverancier TO-3P(N)

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Vervangers (2)

Onderdeelnummer	Fabrikant	Beschikbare hoeveelheid	Productnummer DigiKey	Eenheidsprijs	Type vervangend product
IXXH30N60B3D1	IXYS	510	IXXH30N60B3D1-ND	€ 7,17000	Similar
IXXH30N60C3D1	IXYS	546	IXXH30N60C3D1-ND	€ 7,19000	Similar

Op voorraad: 18

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 6,08000	€ 6,08
25	€ 3,56840	€ 89,21
100	€ 2,97060	€ 297,06
500	€ 2,49250	€ 1.246,25
1.000	€ 2,33908	€ 2.339,08
2.000	€ 2,32129	€ 4.642,58

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.