Name: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 2.7951 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Productnummer DigiKey	264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 60 V 50 A (Ta) 90W (Tc) Opbouwmontage DPAK+
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TJ50S06M3L(T6L1,NQ Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	50 A (Ta)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	13,8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	6290 pF @ 10 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	90W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	DPAK+
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	TJ50S06