TK13A60D(STA4,Q,M) is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 0,00000
Gegevensblad

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 31.924
Eenheidsprijs : € 1,17000
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 500
Eenheidsprijs : € 3,48000
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 337
Eenheidsprijs : € 2,33000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 814
Eenheidsprijs : € 2,81000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,69000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 136
Eenheidsprijs : € 2,44000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.784
Eenheidsprijs : € 1,94000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 353
Eenheidsprijs : € 3,59000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 378
Eenheidsprijs : € 2,27000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 0,75494
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 952
Eenheidsprijs : € 4,59000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.263
Eenheidsprijs : € 1,83000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 782
Eenheidsprijs : € 3,09000
Gegevensblad
TO-220-3 Full Pack
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK13A60D(STA4,Q,M)

Productnummer DigiKey
TK13A60DSTA4QM-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TK13A60D(STA4,Q,M)
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Through-hole TO-220SIS
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
430mOhm @ 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2300 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
50W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220SIS
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.