TK13A60D(STA4,Q,M) is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 31.924
Eenheidsprijs : € 1,00000
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 373
Eenheidsprijs : € 3,19000
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 325
Eenheidsprijs : € 2,00000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 814
Eenheidsprijs : € 2,57000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 197
Eenheidsprijs : € 2,79000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,47000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 217
Eenheidsprijs : € 2,16000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.764
Eenheidsprijs : € 1,76000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 313
Eenheidsprijs : € 3,30000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 378
Eenheidsprijs : € 1,95000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,08000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 952
Eenheidsprijs : € 4,21000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.700
Eenheidsprijs : € 1,53000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 767
Eenheidsprijs : € 2,73000
Gegevensblad
N-kanaal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Through-hole TO-220SIS
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK13A60D(STA4,Q,M)

Productnummer DigiKey
TK13A60DSTA4QM-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TK13A60D(STA4,Q,M)
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Through-hole TO-220SIS
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
430mOhm @ 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2300 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
50W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220SIS
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.