TK4A60D(STA4,Q,M) is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,50000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 420
Eenheidsprijs : € 2,40000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 490
Eenheidsprijs : € 1,60000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 0,91923
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 285
Eenheidsprijs : € 0,00000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.997
Eenheidsprijs : € 1,86000
Gegevensblad
N-kanaal 600 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Through-hole TO-220SIS
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK4A60D(STA4,Q,M)

Productnummer DigiKey
TK4A60D(STA4QM)-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TK4A60D(STA4,Q,M)
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Through-hole TO-220SIS
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
TK4A60D(STA4,Q,M) Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
1,7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4,4V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
600 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
35W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220SIS
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.
Niet-annuleerbaar/niet-retourneerbaar